近日，位于美国加州的格罗方徳（GlobalFoundries）公司透露了其硅光子学路线图的新细节，以实现下一代数据中心和云的光互连应用。该公司首套使用300mm晶圆的90nm制造工艺已经经过认定，同时还即将推出45nm工艺技术，以提供更高的带宽和能源效率。通过GlobalFoundries的硅光子技术能够支持传输数据的大幅增长对全球通信基础设施提出的更高需求。
格罗方徳的硅光子技术
GlobalFoundries的硅光子技术能够将光学元件与电路并排集成在单个硅芯片上。这种单片方法能够利用标准硅制造技术来提高生产效率并降低部署光互连系统的成本。
GlobalFoundries的销售和ASIC业务部门高级副总裁Mike Cadigan表示：“数据对带宽的急剧需求推动了对新一代光互连的需求，我们的硅光子技术能够为客户提供前所未有的连接性能来传输海量数据，无论是在数据中心内的芯片之间，还是跨越数百甚至数千英里的云服务器之间。结合我们先进的ASIC和封装能力，这些技术能够让我们为这个市场提供高度差异化的解决方案。”
GlobalFoundries的硅光子产品利用其在制造高性能射频芯片方面的经验，采用90nm RF绝缘体上硅（SOI）工艺制造。该平台能够提供30GHz带宽的解决方案，支持高达800Gbps的客户端数据速率以及长达120km的长距离互连。
射频SOI工艺向300mm晶圆转移
该工艺技术以前使用200mm晶圆加工生产，现已在纽约East Fishkill的GlobalFoundries Fab 10工厂的300mm晶圆上获得认证。向300mm晶圆的迁移使得客户能力提高，制造生产力提高，光子损耗降低2倍，从而提高覆盖范围，实现更高效的光学系统。
90纳米技术由Cadence Design Systems提供完整的工艺设计套件（PDK），包括的E/O/E协同设计、偏振、温度和波长参数以及差分光子测试功能，包括从技术验证到建模的五个测试部分，到多芯片模块（MCM）产品测试等。
45nm射频SOI技术即将量产
GlobalFoundries的下一代单片硅光子产品将采用45nm射频SOI工艺制造，预计2019年投产。通过利用更先进的45纳米节点，该技术将实现功耗降低、尺寸更小、光带宽度更高的光收发器产品，来解决下一代太比特应用。
其45nm射频硅SOI技术平台已通过验证并准备就绪在美国纽约州East Fishkill的300mm生产线进行批量生产。目前有多家客户参与了先进RF SOI工艺，该工艺针对5G毫米波（mmWave）前端模块（FEM）应用，包括未来的智能手机和下一代毫米波波束成形系统。
GlobalFoundries的45RFSOI平台针对波束形成FEM进行了优化，其特点是通过结合高频晶体管、高电阻率SOI衬底和超厚铜布线来提高射频性能。此外，SOI技术可轻松集成功率放大器、开关、低噪声放大器（LNA）、移相器、上/下变频器和压控振荡器（VCO）/锁相环（PLL），从而降低成本、尺寸和功耗，以用于未来每秒数千兆比特通信系统，包括互联网宽带卫星、智能手机和5G基础设施等。
