三星规模化量产3纳米芯片

6月30日，三星电子表示，公司已经开始在位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星基于3纳米全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）制程工艺采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比，能提供更高的性能和能耗比。

三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。