近日，中国通信学会通信设备制造技术专委会、中国通信学会集成电路专委会、中国通信学会光通信专委会在武汉中国信科集团大厦联合举办“芯片设计、封装和光电融合交流会” （闭门会议）。中国通信学会通信设备制造技术专委会主任委员、中国信科集团副总经理、总工程师、科技委主任、移动通信全国重点实验室主任陈山枝出席会议并致辞，来自三个专委会的40位委员、专家参加了会议。
中国通信学会集成电路专委会主任委员、中国信科集团副总工程师、集成电路创新发展研究院院长刘迪军作了“后摩尔时代下集成电路技术的协同演进”主题报告。他从后摩尔时代三大核心技术瓶颈带来的系统性危机，提出四个方面的破局之路：一是先进制程，是在物理极限内深耕性能的基石；二是先进封装，开辟了超越摩尔定律的新维度；三是设计与工艺协同优化（DTCO）/系统与工艺协同优化（STCO），成为驾驭异构时代系统复杂性新的方法论；四是AI成为后摩尔时代的核心驱动力，AI赋能EDA，覆传统芯片设计方法，AI赋能制造与协同优化，“AI for AI”自我进化螺旋。
中国通信学会通信设备制造技术专委会副主任委员、深圳市凯意科技有限公司总裁万滨作了“AI芯片封装的新发展以及大硅片解决方案”主题报告。他从先进封装市场、技术与演进角度提出大硅片的思路，认为硅是最为成熟的半导体材料，微纳制造的工艺手段成熟完整。18寸硅片材料在技术属于成熟工艺技术范畴，良率有保证可以量产。相对于12寸硅片，18寸硅片面积增加了 2.25 倍，产能可以提升 2.5 倍。与前道的晶圆的应用完全不同，硅中介层只是一种封装材料，18 寸以及更大尺寸的晶圆作为封装材料来考虑有可行性，中介层作为封装的材料不需要先进的工艺，不需要离子注入、不需要多层加工，这个应用可以大大的降低 AI 芯片的封装成本。大硅片封装的发展，可以建立中国自己的 AI 芯片封装发展的路径，应该得到业界的重视。
中国通信学会光通信专委会副主任委员、中国信科集团副总工程师、国家信息光电子创新中心总经理肖希作了“CPO产业化趋势和关键技术挑战”主题报告。他首先介绍了光电共封（CPO）概念，认为超高速AI互联加速光进铜退是CPO的重要驱动力，接着分享了CPO芯片平台的主要方案和行业进展，从调制器、封装、光耦合等方面分析了CPO技术的核心挑战，最后基于CPO产业生态链及国际博弈复杂性等，提出我国CPO产业发展的思考。
与会委员和专家围绕上述主题报告，结合各自的技术产业背景，就集成电路产业发展趋势分析、AI时代下我国通信用IC和光电芯片重大突破及相关发展策略、光电融合从设计到制造的协同发展等方面进行了热烈的讨论。
陈山枝指出，随着技术领域的细分，技术和产业融合的趋势越来越明显。芯片作为通信设备的基础性、支撑性核心器件，对通信系统设备、终端等产品的性能产生重要影响。我国企业在通信设备的系统设计、整机制造能力等方面处于国际领先，但在部分核心芯片方面依赖进口，对系统设备的国产化和自主可控产生重要影响，是我国通信设备领域重点发展、亟待解决的重要方向。随着人工智能的快速发展，算力基础设施大规模建设带动了高速光器件的需求激增，光电融合成为新的技术发展趋势。电芯片、光芯片以及光电融合发展，将对通信设备产生重大影响。
三个专委会联合举办本次交流会，广纳相关领域专家资源，集思广益，取得了较好的效果。
本文来源：中国信科
