一种G657预制棒设计以及光纤性能

责任编辑:匿名 (未验证) 2010/04/29 作者:冯术娟 吴江 查健江 严薇
一、前言
        在光纤到户中,光缆经常要遇到通过弯曲半径小于30mm的狭小空间,应用场合复杂,多为街道、楼宇、拐角等,接入点多,且布线时经常需要悬拉、折弯等操作,由于普通的G652光纤原设计的允许的弯曲半径为30mm,所有普通G652光纤不能胜任光纤到户中更小的弯曲半径接入的需要。这对光纤的弯曲性能提出了更高的要求。一种被称为接入网用弯曲损耗不敏感光纤(G.657)的新型光纤应运而生,其主要特性就是在更小的弯曲半径下弯曲损耗不增加。
 
二、弯曲不敏感G657光纤、预制棒设计及工艺
        设计弯曲不敏感单模光纤G657必须在普通单模光纤的基础上考虑光纤的弯曲附加损耗:
        1、光纤弯曲附加损耗的机理:
        光纤弯曲可模仿成如图1所示的弯曲波导:

图1  弯曲波导示意图
        现代光纤最重要的优点之一就是它的易弯曲性,如果光纤弯曲的曲率半径太小,将引起光的传播途径的改变,使光从纤芯渗透到包层,甚至有可能穿过包层向外渗漏。在正常情况下,光在光纤里沿轴向传播的常数β应满足:n2k0<β<n1k0。当光纤弯曲时,光在弯曲部分中进行传输,要想保持同相位的电场和磁场在一个平面里,则越靠近外侧,其速度就会越大。当传到某一位置时,其相速度就会超过光速,这意味着传导模要变成辐射模。所以光束功率的一部分会损耗掉,这也就意味着衰减将会增加。
        下面参照Luc B.jeunhomme弯曲损耗理论分析:首先把弯曲光纤场的分布近似成薄膜介质带状波导弯曲场的分布,并能满足弱导条件△<1%,则弯曲波导沿轴向外辐射的单位弧长上的功率损耗系数,单位弧长上的弯曲损耗dB为
                                   (1)                       (2)
        其中,u,w分别为径向归一化相位常数和径向归一化衰减常数,β是轴向传播常数,a是纤芯半径,v是归一化频率,是一阶第二类修正贝塞尔函数,从公式2中可以看出弯曲损耗随着弯曲半径R的减小而增大。
        2、MAC值设计:
        对于阶跃折射率单模光纤,用模长直径(Mode field diameter,MFD)与截止波长λc之间的特征来表示。这个著名的无量纲参数被称为MAC值,MAC可由公式(3)求得:
                     (3) 
        通过研究发现,光纤的弯曲敏感性随着MAC值的减小而降低。因此小的模长直径和长的截止波长的光纤即MAC值小比MAC值大具有更低的弯曲敏感性。因此设计G657光纤预制棒首先考虑的是降低MAC值,适当降低光纤的模长直径,适当提高光纤的截止波长。这样可以改善光纤的弯曲敏感性。
        3、G657预制棒设计:
        对于常规的光纤预制棒的设计,考虑的是光纤的结构参数,模长直径、截止波长、零色散波长满足使用要求,并尽量达到最佳化,同时考虑合适的损耗和弯曲特性。如图2使光纤参数在图中6条曲线的范围内。
图2  单模光纤结构参数关系图
        针对G657光纤我们不能单纯考虑光纤的结构参数,更多的是要考虑光纤的弯曲损耗特征。从公式2中,规定临界的弯曲半径,规定可接受的宏弯附加损耗系数,计算出G657光纤的折射率差和光纤的芯径,再来设计G657光纤预制棒。
        4、G657预制棒工艺:
        考虑到改善光纤的弯曲敏感性,光纤的机械性能,以及最终光纤成本等因素,采用全火焰水解法(AFHD),制作低水峰、弯曲不敏感光纤预制棒,使用AFHD法制作芯棒,在高温下及氦气和氯气的氛围中脱水烧结成实心的母棒,然后将母棒延伸成多根子棒。每根子棒通过OVD外沉积、烧结成为可以拉丝数百公里的弯曲不敏感光光纤。
 
三、G657弯曲不敏感光纤性能
        1、G657光纤参数:
        由上述工艺生产出来的G657光纤,B类光纤1200公里
表1  AFHD低水峰弯曲不敏感光纤主要传输性能表
项目 单位 指标范围 典型值
B2类 B2类
1310nm衰减 dB/km ≤0.40 0.34
1550nm衰减 dB/km ≤0.23 0.195
1383nm衰减 dB/km ≤0.32 0.29
1625nm衰减 dB/km ≤0.25 0.22
1550nm色散系数 ps/(nm.km) ≤18 17.8
偏振模色散(PMD) ps/√km ≤0.1 0.05
截止波长(λc nm 1150-1340 1283
零色散波长(λ0 nm 1310~1370 1329
零色散斜率(S0 ps/nm2*km ≤0.092 0.089
表2  AFHD低水峰弯曲不敏感光纤弯曲VS MFD性能表
  新ITU-T G657 B2 宏弯附加损耗dB
  MFD 1310nm R10 x 1圈 R7.5 x 1圈
  µm 1550nm 1625nm 1550nm 1625nm
G657B2 6.3~9.5 ± 0.4 <0.1 <0.2 <0.5 <1.0
典型值 8.12 0.0173 0.092 0.09 0.41
        2、宏弯附加损耗与光纤弯曲半径关系:

图3  宏弯损耗VS 弯曲半径
        如图3,对于给定的折射率差、工作波长和截止波长的G657光纤,一定会有一个临界曲率半径R,当实际曲率半径接近R时,弯曲损耗从可以忽略的数值急剧增加到不可容忍的数值,从上图可以得出这类G657光纤,临界曲率半径为7.5mm,如果弯曲半径小于7.5mm是,在1625nm波长出宏弯附加损耗超出1dB。
        3、宏弯附加损耗与MAC的关系:
        G657光纤的宏弯附加损耗都随着MAC值的增加而增加,如图4实际MAC值与宏弯附加损耗的关系。在设计G657光纤时,降低模长直径、增加截止波长能达到降低MAC的目的。但模长直径如果过小,在与常规光纤熔接时造成很大的熔接损耗,光缆的截止波长必须小于1260,因此光纤的截止波长增大的空间非常有限,所有需要模长直径和截止波长两个参数上平衡,满足实际需要。

图4  宏弯损耗VS MAC
        4、光纤的熔接损耗:
光纤的熔接损耗主要取决于光纤的模长直径的差异,由于弯曲不敏感G657光纤和G.652普通光纤存在的模场直径比较大的差异,导致弯曲不敏感G657光纤与G.652光纤熔接是熔接损耗增加。理论熔接损耗的计算公式4为:
                 (4)
        其中w1、w2为熔接的光纤的模长直径
        (1)当w1=w2,即两根光纤的模长直径相同,由公式4计算出理论熔接损耗B=0。
        (2)按G657B2类光纤模长直径中值w1=8.1的光纤和普通G652光纤模长直径中值w2=9.2的光纤进行熔接,由公式4计算出理论熔接损耗B=0.0702dB。  
        因此将此类G657光纤接入目前的普通光纤网络中,与普通G652光纤熔接,熔接损耗理论上能够满足系统的要求。
        但实际熔接过程中,光纤的熔接损耗还受到纤芯和包层同心度、纤芯的不圆度等参数差异的影响。用AFHD工艺生产的G657B2 光纤与普通G657光纤熔接试验(采用藤仓50S熔接机,采用双向平均OTDR值作为熔接损耗)。
        我们将模长直径为8.11µm弯曲不敏感光纤G657B2光纤与模长直径为9.21µm的G.652光纤进行熔接, 通过100次熔接,熔接损耗测试值分布如图5所示。

图5  G657弯曲不敏感B类光纤与G.652光纤熔接损耗分布(dB)
 
四、结论
        采用AFHD工艺生产G657弯曲不敏感光纤,有如下优点:1、用这种工艺生产的G657弯曲不敏感光纤具有优异的抗弯曲性能;2、与普通光纤熔接具有低的熔接损耗;3、这种光纤可以提供全波长传输;4、适合大规模生产。因此我们的这类G657弯曲不敏感光纤在FTTH接入网项目的建设中有比较明显的优势。

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